Індывідуальны экструдаваны алюмініевы цеплавой радыятар IGBT

З-за высокай частаты пераключэнняў, адсутнасці буфернай схемы, лёгкай абароны і выдатнай надзейнасці радыятары IGBT становяцца ўсё больш важнымі на электронным рынку.Шматлікія метады інтэгральнай схемы, у тым ліку тонкая літаграфія, іонная імплантацыя і эпітаксія, былі выкарыстаны для дасягнення такога высокага ўзроўню прадукцыйнасці.Прадукцыйнасць цеплаадвода модуля Power IGBT значна ўзрасла за апошнія гады;цяпер ён можа вытрымліваць напружанне больш за 1500 В і мець намінальны ток у сотні ампер.

Характарыстыкі радыятара p-канальнага сілавога IGBT-модуля падобныя на характарыстыкі n-канальнага IGBT, паколькі прылады IGBT маюць станоўчыя характарыстыкі PIN-дыёда.Гэта дазваляе лёгка прыняць дадатковыя структуры ў прыкладаннях, што пашырае выкарыстанне прылад у галіне пераменнага току і лічбавых тэхналогій кіравання.Здольнасць IGBT пераносіць удары токам як уключаным, так і кароткім замыканні з'яўляецца яго найвялікшай асаблівасцю.Кароткая затрымка адключэння робіць яго паслядоўнае злучэнне простым, а паралельнае злучэнне без праблем.

Мы прапануем індывідуальныя канструкцыі ў дадатак да нашых звычайных радыятараў, каб задаволіць унікальныя патрэбы нашых кліентаў.Разам вы і наша кваліфікаваная каманда інжынераў можаце стварыць унікальны радыятар, які задавальняе ўсім вашым патрабаванням.

Для атрымання дадатковай інфармацыі звяжыцеся з намі (https://www.cncyaotai.com/contact-us/) прама зараз!